Direcionadores de crescimento

Dispositivos semicondutores de potência

Permanecemos na vanguarda, para apoiar um futuro sustentável. Dispositivos semicondutores de potência são essenciais para tornar inúmeras variedades de equipamentos eletrônicos de potência mais eficientes em termos energéticos - de sistemas de tração ferroviária e automóveis a robôs industriais e sistemas de ar condicionado. A Mitsubishi Electric está ajudando a construir uma sociedade de baixo carbono e proporcionar uma vida melhor para todos através do desenvolvimento de dispositivos semicondutores de potência.

Visão geral

Compartilhamento de primeira classe mundial *

Nossos dispositivos semicondutores de potência são usados em quase toda parte—em equipamentos eletrônicos de potência, incluindo eletrodomésticos, tração, automóveis e distribuição de eletricidade. Como líder de longa data em participação no mercado mundial, a Mitsubishi Electric contribui significativamente para a conservação de energia e a redução do tamanho e do peso dos equipamentos eletrônicos de potência.
* Nos módulos IGBT (a partir de fevereiro de 2017), com base na pesquisa da Mitsubishi Electric.

Dispositivos semicondutores de potência que incorporam carboneto de silício (SiC)

Continuamos a explorar o potencial do carbeto de silício (SiC). Em dispositivos de energia, pode reduzir drasticamente a perda de energia devido às características especiais do material, aumentando consideravelmente a eficiência energética dos dispositivos eletrônicos de potência. A Mitsubishi Electric começou a desenvolver os elementos necessários para o SiC no início da década de 1990, e se manteve na indústria global de ponta desenvolvendo versões comerciais de dispositivos semicondutores de potência SiC e produtos que incorporam esses dispositivos e fornecendo dados mostrando seu desempenho de economia de energia.

História

Década de 1950~

A Mitsubishi Electric começou a pesquisar sobre dispositivos semicondutores de potência na década de 1950.

1958

Desenvolvimento e comercialização do primeiro dispositivo semicondutor de potência do Japão.

Década de 1990

Desenvolvimento de novos materiais e produtos, semicondutores de potência de carbeto de silício (SiC), mantendo a liderança sobre outras empresas.

2010

Instalação de um dispositivo semicondutor de potência SiC em (nossas) unidades de ar condicionado—a primeira do mundo.

2012

Início do envio de amostras de módulos de semicondutores de potência de SiC para os mercados globais.

2015

Instalação do sistema de tração de vagões com módulos de semicondutores de potência SiC para os Shinkansen (trens-bala de alta velocidade) do Japão.

P&D/tecnologias

Resumo dos negócios de dispositivos de potência

Comprometidos com o contínuo desenvolvimento do SiC para reduzir custos e melhorar o desempenho, fornecemos dispositivos essenciais para economia de energia como um líder global em fabricação de dispositivos de energia.

Expansão linha de DIPIPM Ver.6 de grandes dimensões e de 1200 V

Esta nova adição à nossa linha de produtos atinge uma grande “primeira conquista”—uma classificação atual de 75 A para o DIPIPM, cobrindo a linha de 40kW de ar condicionado tipo “package”.

Módulo de potência de SiC híbrido de grande capacidade

Um inversor de tração que incorpora módulos de potência de SiC híbrido de grande capacidade montado em um vagão demonstra seu efeito de economia de energia em operação comercial desde fevereiro de 2012.